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APTGT75DDA60T3G PDF预览

APTGT75DDA60T3G

更新时间： 2024-12-01 03:28:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 264K
描述
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75DDA60T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：25最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

APTGT75DDA60T3G 数据手册

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APTGT75DDA60T3G  
Dual Boost chopper  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
CR1  
CR2  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
22  
23  
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Q1  
Q2  
32  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
15  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
Each leg can be easily paralleled to achieve a  
single boost of twice the current capability.  
RoHS Compliant  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
100  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
75  
140  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
250  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGT75DDA60T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75DDA60T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Dual boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon
APTGT75DH120T ADPOW

获取价格

 		Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DH120T3G MICROSEMI

获取价格

 		Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DH120T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75DH120TG MICROSEMI

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