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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 45 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-T12 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 12 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 210 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 850 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 2.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT30DDA60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30DDA60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30DSK60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30DSK60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30H170T3 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT30H170T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30H170T3G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Full bridgeVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 30Silicon type: T |
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| APTGT30H60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT® Power |
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| APTGT30H60T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 30Silicon type: |
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| APTGT30H60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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