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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT30H60T3
APTGT30H60T3 PDF预览

APTGT30H60T3

更新时间： 2024-11-24 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 286K
描述
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT30H60T3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X25元件数量：4
端子数量：25封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

APTGT30H60T3 数据手册

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APTGT30H60T3  
Full - Bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 30A @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
CR1  
22  
CR3  
11  
10  
18  
19  
Features  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
7
8
•
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
23  
Low tail current  
Q2  
29  
Q4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
CR2  
CR4  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
30  
31  
32  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
15  
16  
R1  
-
Symmetrical design  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
16  
Benefits  
30  
15  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
50  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
30  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
60  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
90  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
60A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT30H60T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT30H60T3G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30SK170D1 ADPOW

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 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT30SK170D1G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT30SK170T1G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power
APTGT30TL601G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30TL601G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 30Silic
APTGT30TL60T3G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30X60T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT30X60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 30Silicon
APTGT35A120D1 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Trench IGBT Power Module

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