Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF360U60D4G

APTGF360U60D4G

更新时间： 2024-11-21 06:37:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
5页	198K
描述
Single switch NPT IGBT Power Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APTGF360U60D4G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	450 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1560 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	430 ns	标称接通时间 (ton)：	250 ns
VCEsat-Max：	2.45 V	Base Number Matches：	1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGF400U120D4G	MICROSEMI	获取价格	Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF500U60D4	ADPOW	获取价格	Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF500U60D4G	MICROSEMI	获取价格	Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T	ADPOW	获取价格	Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T1G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T3WG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A120TG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A60T1G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DA120CT1G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode
APTGF50DA120T1G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper NPT IGBT Power Module