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APTGF50DH120T

更新时间： 2024-11-21 08:33:39
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ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 297K
描述
Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

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APTGF50DH120T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X14元件数量：2
端子数量：14封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：400 ns
标称接通时间 (ton)：100 nsBase Number Matches：1

APTGF50DH120T 数据手册

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APTGF50DH120T  
VCES = 1200V  
Asymmetrical - Bridge  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
Sꢀ Welding converters  
Sꢀ Switched Mode Power Supplies  
Sꢀ Switched Reluctance Motor Drives  
VBUS  
VBUS SENSE  
Q1  
G1  
CR3  
Features  
Sꢀ Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
E1  
Low tail current  
OUT1  
OUT2  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Q4  
G4  
E4  
Low leakage current  
CR2  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
0/VBUS SENSE  
Sꢀ Kelvin emitter for easy drive  
Sꢀ Very low stray inductance  
NTC1  
NTC2  
0/VBUS  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
Sꢀ Internal thermistor for temperature monitoring  
Sꢀ High level of integration  
Benefits  
Sꢀ Outstanding performance at high frequency  
operation  
G4  
E4  
VBUS  
OUT2  
OUT1  
Sꢀ Stable temperature behavior  
Sꢀ Very rugged  
SENSE  
Sꢀ Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Sꢀ Low junction to case thermal resistance  
Sꢀ Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Sꢀ Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Sꢀ Low profile  
0/VBUS  
VBUS  
E1  
NTC2  
NTC1  
0/VBUS  
SENSE  
G1  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
1200  
75  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
A
50  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
150  
±20  
312  
V
W
Tc = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 150A @ 1200V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 6  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123456

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