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APTGF50DH120TG

更新时间： 2024-11-21 04:32:51

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

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APTGF50DH120TG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X14	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	14	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	400 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns	VCEsat-Max：	3.7 V
Base Number Matches：	1

APTGF50DH120TG 数据手册

APTGF50DH120TG

V_CES= 1200V

Asymmetrical - Bridge

I_C= 50A @ Tc = 80°C

NPT IGBT Power Module

Application

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Switched Reluctance Motor Drives

VBUS

VBUS SENSE

Features

CR3

•

Non Punch Through (NPT) Fast IGBT^®

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 50 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

OUT1

OUT2

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

CR2

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

0/VBUS SENSE

Symmetrical design

NTC1

NTC2

0/VBUS

Lead frames for power connections

•

Internal thermistor for temperature monitoring

High level of integration

Benefits

•

Outstanding performance at high frequency

operation

•

Stable temperature behavior

Very rugged

VBUS

OUT2

OUT1

SENSE

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Solderable terminals both for power and signal for

easy PCB mounting

Easy paralleling due to positive T_Cof V_CEsat

Low profile

RoHS compliant

0/VBUS

VBUS

NTC2

NTC1

0/VBUS

SENSE

•

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

1200

T_c= 25°C

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

150

±20

T_c= 25°C

T_j= 150°C

Maximum Power Dissipation

312

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

100A @ 1200V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note

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APTGF50DSK60T3	ADPOW	获取价格	Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
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