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APTGF50TA120PG

更新时间： 2024-11-24 04:32:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 286K
描述
Triple phase leg NPT IGBT Power Module

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APTGF50TA120PG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21针数：21
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X21
JESD-609代码：e1元件数量：6
端子数量：21最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：312 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：400 ns
标称接通时间 (ton)：100 nsVCEsat-Max：3.7 V
Base Number Matches：1

APTGF50TA120PG 数据手册

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APTGF50TA120PG  
VCES = 1200V  
Triple phase leg  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
Welding converters  
•
•
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
VBUS1  
VBUS2  
VBUS3  
•
Features  
•
G1  
G3  
G5  
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
E1  
E3  
E5  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
U
V
W
Low tail current  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G2  
E2  
G4  
G6  
E4  
E6  
Low leakage current  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
Benefits  
•
High level of integration  
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
VBUS 1  
VBUS 2  
VBUS 3  
G1  
E1  
G3  
E3  
G5  
E5  
•
•
•
Very low (12mm) profile  
0/VBUS 1  
0/VBUS 2  
0/VBUS 3  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
U
V
W
•
•
•
RoHS compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
75  
IC  
Continuous Collector Current  
A
50  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
150  
±20  
V
W
Tc = 25°C  
Tj = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
312  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
100A @ 1200V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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