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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 | 针数： | 25 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 65 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X20 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 151 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 52 ns | VCEsat-Max： | 2.45 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF50X120E2 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50X120E2 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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| APTGF50X120E2G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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| APTGF50X120E3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50X120P2 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50X120P2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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| APTGF50X120P2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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| APTGF50X120TE3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50X120TE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGF50X120TE3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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