5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 35 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 35 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 153 ns | 标称接通时间 (ton)： | 52 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF50X60E2 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF50X60P2 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF50X60RTP3 | ADPOW |
获取价格 |
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF50X60RTP3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
|
| APTGF50X60RTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
|
| APTGF50X60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF530U120D4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Single switch NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF660U60D4 | ADPOW |
获取价格 |
Single switch NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF660U60D4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Single switch NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75DA120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
