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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF50H60T3
APTGF50H60T3 PDF预览

APTGF50H60T3

更新时间： 2024-11-21 13:05:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 319K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

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APTGF50H60T3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：65 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X25
元件数量：4端子数量：25
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：151 ns标称接通时间 (ton)：52 ns
Base Number Matches：1

APTGF50H60T3 数据手册

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APTGF50H60T3G  
VCES = 600V  
Full - Bridge  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
CR1  
22  
CR3  
11  
10  
18  
19  
Features  
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT®  
7
8
•
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
23  
Low tail current  
Q2  
29  
Q4  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
CR2  
CR4  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
Symmetrical design  
30  
31  
32  
-
15  
16  
R1  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
Benefits  
15  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal  
for easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
•
•
•
Low profile  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Each leg can be easily paralleled to achieve a  
phase leg of twice the current capability  
RoHS compliant  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
65  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
50  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
230  
±20  
250  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
100A @ 500V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 6  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123456

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