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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 625 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 285 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF500U60D4G | MICROSEMI |
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Single switch NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50A120T | ADPOW |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50A120T1G | MICROSEMI |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50A120T3WG | MICROSEMI |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50A120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50A60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50DA120CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode |
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| APTGF50DA120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50DA120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50DDA120T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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