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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF50A120T
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APTGF50A120T

更新时间： 2024-11-21 08:33:39
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ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 295K
描述
Phase leg NPT IGBT Power Module

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APTGF50A120T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X12
元件数量：2端子数量：12
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：400 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
Base Number Matches：1

APTGF50A120T 数据手册

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APTGF50A120T  
VCES = 1200V  
Phase leg  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
Sꢀ Welding converters  
VBUS  
NTC2  
Sꢀ Switched Mode Power Supplies  
Sꢀ Uninterruptible Power Supplies  
Sꢀ Motor control  
Q1  
G1  
E1  
Features  
Sꢀ Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
OUT  
Low tail current  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Q2  
G2  
E2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
Sꢀ Kelvin emitter for easy drive  
Sꢀ Very low stray inductance  
0/VBUS  
NTC1  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
Sꢀ Internal thermistor for temperature monitoring  
Sꢀ High level of integration  
Benefits  
Sꢀ Outstanding performance at high frequency  
operation  
Sꢀ Stable temperature behavior  
Sꢀ Very rugged  
G2  
E2  
OUT  
OUT  
Sꢀ Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Sꢀ Low junction to case thermal resistance  
Sꢀ Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Sꢀ Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Sꢀ Low profile  
VBUS  
0/VBUS  
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
1200  
75  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
A
50  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
150  
±20  
312  
V
W
Tc = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 150A @ 1200V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 6  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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