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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF330A60D3G
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APTGF330A60D3G

更新时间： 2024-11-21 06:37:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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5页 212K
描述
Phase leg NPT IGBT Power Module

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APTGF330A60D3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：460 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1560 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：325 ns标称接通时间 (ton)：230 ns
VCEsat-Max：2.45 VBase Number Matches：1

APTGF330A60D3G 数据手册

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APTGF330A60D3G  
VCES = 600V  
IC = 330A @ Tc = 80°C  
Phase leg  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
3
Q1  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
4
5
Features  
1
Q2  
•
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
- Low voltage drop  
- Low tail current  
6
- Switching frequency up to 50 kHz  
- Soft recovery parallel diodes  
- Low diode VF  
7
2
- Low leakage current  
- RBSOA and SCSOA rated  
Kelvin emitter for easy drive  
High level of integration  
M6 power connectors  
•
•
•
Benefits  
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
520  
330  
800  
±20  
1560  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
800A @ 520V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
See application note APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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