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APT60N60BCS

更新时间： 2024-01-31 12:19:37
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 209K
描述
Super Junction MOSFET

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APT60N60BCS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：1950 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT60N60BCS 数据手册

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APT60N60B_SCS(G)  
100,000  
10,000  
1,000  
230  
OPERATION HERE  
LIMITED BY R (ON)  
DS  
100  
50  
Ciss  
Coss  
100μS  
10  
5
Crss  
100  
0
TC =+25°C  
TJ =+150°C  
SINGLE PULSE  
1mS  
10mS  
1
0
V
10  
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
DS  
20  
30  
40  
50  
1
V
10  
100  
600  
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
DS  
FIGURE 9, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA  
FIGURE 10, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE  
16  
14  
12  
10  
8
200  
I
= 44A  
D
100  
TJ =+150°C  
VDS=120V  
VDS=300V  
TJ =+25°C  
10  
6
VDS=480V  
4
2
0
1
0
50  
100  
150  
200  
250  
0.3  
V
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
Q , TOTAL GATE CHARGE (nC)  
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)  
g
SD  
FIGURE 11, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE  
FIGURE 12, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE  
250  
110  
V
= 400V  
= 4.3W  
DD  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
R
G
T
= 125°C  
200  
J
L = 100μH  
td(off)  
tf  
150  
V
= 400V  
= 4.3W  
DD  
R
G
T
= 125°C  
J
L = 100μH  
100  
50  
0
tr  
td(on)  
10  
0
0
20  
40  
(A)  
60  
80  
0
20  
40  
(A)  
60  
80  
I
I
D
D
FIGURE 13, DELAY TIMES vs CURRENT  
FIGURE 14, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT  
2500  
2000  
1500  
1000  
V
= 400V  
= 4.3W  
DD  
R
G
T
= 125°C  
J
2000  
1500  
1000  
L = 100μH  
Eoff  
E
includes  
on  
diode reverse recovery.  
Eon  
Eon  
V
I
= 400V  
DD  
Eoff  
= 44A  
D
500  
0
T
= 125°C  
500  
0
J
L = 100μH  
includes  
E
on  
diode reverse recovery.  
0
20  
40  
(A)  
60  
80  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
I
R , GATE RESISTANCE (Ohms)  
D
G
FIGURE 15, SWITCHING ENERGY vs CURRENT  
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE  
12345

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