APT60N60BCS

更新时间： 2024-01-28 01:52:54

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	209K
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Super Junction MOSFET

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APT60N60BCS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1950 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT60N60BCS 数据手册

Typical Performance Curves

APT60N60B_SCS(G)

140

120

100

15, 10 & 7V

6.5V

5.5V

4.5V

, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

FIGURE 2, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS

200

1.40

NORMALIZED TO

V_DS> I_D(ON)

x R_DS(ON)MAX.

180

160

140

120

100

250μSEC. PULSE TEST

= 10V

44A

@ <0.5 % DUTY CYCLE

1.30

1.20

1.10

1.00

V_GS=10V

T_J= -55°C

T_J= +25°C

T_J= +125°C

V_GS=20V

0.90

0.80

100 120 140

, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

I , DRAIN CURRENT (AMPERES)

FIGURE 3, TRANSFER CHARACTERISTICS

FIGURE 4, R (ON) vs DRAIN CURRENT

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

100

125

150

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T , CASE TEMPERATURE (°C)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

FIGURE 5, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE

FIGURE 6, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE

2.5

1.15

= 44A

= 10V

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

0.75

0.70

2.0

1.5

1.0

0.5

-50 -25

25 50

75 100 125 150

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

T , CASE TEMPERATURE (°C)

FIGURE 7, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE

FIGURE 8, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE

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