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APT5024SLLG

更新时间： 2024-11-29 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 1109K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3/2

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APT5024SLLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.25
雪崩能效等级（Eas）：960 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.24 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：265 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT5024SLLG 数据手册

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APT5024BLL(G)  
APT5024SLL(G)  
500V 22A 0.240Ω  
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
R
BLL  
POWER MOS 7 MOSFET  
D3PAK  
TO-247  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
SLL  
D
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• IncreasedPowerDissipation  
• Easier To Drive  
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package  
G
S
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT5024BLL_SLL(G)  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
500  
22  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
88  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
265  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Watts  
W/°C  
PD  
2.12  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
22  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
960  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
500  
22  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 11A)  
Ohms  
µA  
0.24  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 500V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 400V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)  
IDSS  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT5024SVFR ADPOW

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 		暂无描述
APT5024SVFRG MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5024SVR MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5024SVR ADPOW

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 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		23A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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