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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5027BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5027BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT5027BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
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| APT5027CLL | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT5027CLL | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5027SNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
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| APT5027SVR | MICROSEMI |
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20A, 500V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D3PAK-3 |
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| APT5028BVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5028BVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5028BVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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