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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 290 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 310 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 163 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 83 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5030BN-GULLWING | MICROSEMI |
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21 A, 500 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT5030BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT5030BNR-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
21A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT5030BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5030CN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT5030DN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
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| APT5030HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258ISO |
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| APT5032CVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5040AN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT5040BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD |
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