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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5040BNR-BUTT | ADPOW |
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暂无描述 |
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| APT5040BNR-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5040CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254ISO |
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| APT5040CNR | ADPOW |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT5040DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
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| APT5040KFLL | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT5040KFLL | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5040KFLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5050AN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5050BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247AD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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