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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | TO-247, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT, LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 320 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 50 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50DL60BCT | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60BCTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT50DL60S | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50G50BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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| APT50G60BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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| APT50GF100BN | MICROSEMI |
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50A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| APT50GF120B2R | ADPOW |
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The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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