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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 2.28 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT |
| 最小击穿电压： | 1700 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2.2 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 50 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1700 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT50DF170HJ-Module | MICROCHIP |
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FRED Si diode Ultra fast recovery timesSoft recovery characteristicsHigh blocking voltageH |
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| APT50DL120HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT50DL60B | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60BCT | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60BCTG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60BG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT50DL60S | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50DL60SG | MICROSEMI |
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Ultrasoft Recovery Rectifi er Diode |
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| APT50G50BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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