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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级（Eas）： | 960 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5028SVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5030AN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT5030AVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5030BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT5030BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5030BN-BUTT | MICROSEMI |
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21A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT5030BN-GULLWING | MICROSEMI |
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21 A, 500 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT5030BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT5030BNR-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
21A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT5030BNR-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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