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APT5024SVR

更新时间： 2024-11-29 20:34:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT5024SVR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.25Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT5024SVR 数据手册

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APT5024BVR  
APT5024SVR  
500V 22A 0.240Ω  
BVR  
POWER MOS V®  
D3PAK  
TO-247  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
SVR  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• Avalanche Energy Rated  
D
S
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package  
G
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT5024BVR_SVR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
500  
22  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
88  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
280  
Watts  
W/°C  
PD  
2.24  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
22  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1210  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
500  
22  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.24  
25  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
250  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234

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与APT5024SVR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT5024SVRG MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025AN ADPOW

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT5025BN ADPOW

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT5025BN-BUTT MICROSEMI

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 		23A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5025BN-GULLWING MICROSEMI

获取价格

 		23A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT5025BN-GULLWING ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025BNR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD
APT5025BNR-BUTT ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025BNR-GULLWING MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025CN ADPOW

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