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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 360 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 92 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5025BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5025CN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT5025DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT5025HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
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| APT5026HVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5027 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
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| APT5027BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247AD |
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| APT5027BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT5027BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5027BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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