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APT5024SVRG

更新时间： 2024-11-29 15:32:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT5024SVRG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	D3PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
其他特性：	AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT5024SVRG 数据手册

APT5024BVR

APT5024SVR

500V 22A 0.240Ω

BVR

POWER MOS V^®

D³PAK

TO-247

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

SVR

• Faster Switching

• Lower Leakage

• Avalanche Energy Rated

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT5024BVR_SVR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

500

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

280

Watts

W/°C

P_D

2.24

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1210

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

500

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.24

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT5025AN	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT5025BN	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT5025BN-BUTT	MICROSEMI	获取价格	23A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5025BN-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	23A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT5025BN-GULLWING	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025BNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-247AD
APT5025BNR-BUTT	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5025BNR-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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