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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 600 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 230 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 140 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10M25BNR-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT10M25BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT10M25BVFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10M25BVFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT10M25BVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10M25SNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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| APT10M25SVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
|
| APT10M25SVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| APT10M30AVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10M30BNFR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
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