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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9963GS-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
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| AP9964GM | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9965GEH | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9965GEH_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
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| AP9965GEJ | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9965GEJ_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
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| AP9965GEM | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9965GYT-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9966GM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9967GH-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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