AP9965GEM

更新时间： 2024-11-18 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9965GEM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9965GEM 数据手册

AP9965GEM

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-Resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

40V

28mΩ

6.7A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Dual N MOSFET Package

▼ RoHS Compliant

SO-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±16

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

6.7

5.2

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200622062-1/4

12 3 4

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