AP9970GP-HF

更新时间： 2024-09-15 12:52:15

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9970GP-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	960 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9970GP-HF 数据手册

AP9970GP-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

3.2mΩ

240A

▼ Lower On-resistance

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-220(P)

The TO-220 package is widely preferred for commercial-industrial

through-hole applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V(Package Limited)

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_D@T_C=25℃

I_DM

240

170

120

Pulsed Drain Current¹

960

P_D@T_C=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

375

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 175

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maixmum Thermal Resistance, Junction-ambient

0.4

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200907272

12 3 4

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