AP4419GH

更新时间： 2024-01-03 02:34:24

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		/
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AP4419GH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	35 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.038 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4419GH 数据手册

AP4419GH/J

f=1.0MHz

C _iss

1000

V _DS=-30V

_D=-16A

C _oss

C _rss

100

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Q _G, Total Gate Charge (nC)

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

100

Duty factor=0.5

0.2

0.1

100us

1ms

0.1

0.05

P_DM

0.02

T _c=25 ^oC

0.01

10ms

100ms

Duty factor = t/T

Peak T_j= P_DMx R_thjc+ T_C

Single Pulse

0.01

0.1

100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

t , Pulse Width (s)

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

V_G

_DS=-5V

Q_G

T _j=25 ^oC

T _j=150 ^oC

-4.5V

Q_GD

Q_GS

Charge

-V _GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 11. Transfer Characteristics

Fig 12. Gate Charge Waveform

4/4

1 2 34

下载PDF

与AP4419GH相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AP4419GH_14	A-POWER	Simple Drive Requirement	获取价格
AP4419GJ	A-POWER	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP4419GJ_14	A-POWER	Simple Drive Requirement	获取价格
AP4420GH	A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement	获取价格
AP4420GH_14	A-POWER	Simple Drive Requirement	获取价格
AP4420GJ	A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement	获取价格