AP4419GH

更新时间： 2024-02-09 22:33:21

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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4419GH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	35 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.038 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4419GH 数据手册

AP4419GH/J

-10V

-7.0V

-10V

-7.0V

T _C= 25 ^oC

T _C= 150 ^o

-5.0V

-4.5V

-5.0V

-4.5V

_G= -3.0 V

V _G= -3.0 V

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

110

1.7

1.4

1.1

0.8

0.5

I _D=-16A

I _D= -12 A

_G=-10V

_C=25 ℃

-50

100

150

-V _GS, Gate-to-Source Voltage (V)

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage

Fig 4. Normalized On-Resistance

v.s. Junction Temperature

1.6

1.2

0.8

0.4

T _j=150 ^o

T _j=25 ^oC

0.4

0.8

1.2

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 5. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

3/4

1 234

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