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AP4407GS-HF

更新时间： 2024-02-19 16:07:37

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富鼎先进 - A-POWER		开关脉冲晶体管
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4页	98K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP4407GS-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4407GS-HF 数据手册

AP4407GS/P-HF

250

200

150

100

150

100

T _C=25 ^oC

-10V

-8.0V

-6.0V

-10V

-8.0V

T _C=150 ^o

-6.0V

-4.5V

_G=-3.0V

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

I _D=-24A

I _D= -16 A

_G=-10V

_C=25 ℃

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage

Fig 4. Normalized On-Resistance

v.s. Junction Temperature

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

T _j=150 ^o

T _j=25 ^oC

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 5. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

1 234

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