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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4409AGM-HF
AP4409AGM-HF PDF预览

AP4409AGM-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 驱动
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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AP4409AGM-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.68
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：0.0072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP4409AGM-HF 数据手册

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AP4409AGM-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-30V  
7.2mΩ  
-15A  
D
D
D
D
▼ Low On-resistance  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
S
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
S
SO-8  
S
D
S
Description  
AP4409A series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and  
fast switching performance. It provides the designer with an extreme  
efficient device for use in a wide range of power applications.  
The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications using infrared reflow technique and suited  
for voltage conversion or switch applications.  
G
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
-15  
A
-12  
A
-50  
A
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
2.5  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Unit  
Rthj-a  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201211211  
1234

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与AP4409AGM-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4409GEM A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4409GEP-HF A-POWER

获取价格

 		Low On-resistance, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic
AP4409GM A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4410AGM A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4410GM A-POWER

获取价格

 		Low On-Resistance, Fast Switching
AP4410GM-HF A-POWER

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
AP4410M A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP4411GM A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4411GM-HF A-POWER

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 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP4412GM A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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