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AO4304

更新时间: 2024-11-20 12:24:23
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飞思卡尔 - FREESCALE /
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6页 343K
描述
30V N-Channel MOSFET

AO4304 数据手册

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AO4304  
30V N-Channel MOSFET  
General Description  
technology with a low resistance package to provide  
The AO4304 combines advanced trench MOSFET  
extremely low RDS(ON)  
. This device is ideal for load switch and battery protection applications.  
Features  
VDS  
30V  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)  
18A  
< 6.0m  
< 7.6mΩ  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
±20  
18  
V
V
VGS  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
ID  
14  
A
Pulsed Drain Current C  
IDM  
200  
35  
Avalanche Current C  
IAS, IAR  
EAS, EAR  
A
Avalanche energy L=0.1mH C  
TA=25°C  
Power Dissipation B  
61  
mJ  
3.6  
PD  
W
°C  
TA=70°C  
2.3  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
27  
Max  
35  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Lead  
t
10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
52  
65  
RθJL  
12  
15  
1 / 6  
www.freescale.net.cn  

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