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AM29F200AB-120DWE1

更新时间： 2024-11-09 22:56:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Revision 1

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AM29F200AB-120DWE1 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：16
JESD-30 代码：X-XUUC-N42内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：42
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：256KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

AM29F200AB-120DWE1 数据手册

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SUPPLEMENT  
Am29F200A Known Good Die  
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory—Die Revision 1  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— Minimizes system level power requirements  
■ Embedded Algorithms  
■ High performance  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— 90 or 120 ns access time  
■ Low power consumption  
— 20 mA typical active read current (byte mode)  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— 28 mA typical active read current for  
(word mode)  
■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed  
■ Compatible with JEDEC standards  
— 30 mA typical program/erase current  
— 1 µA typical standby current  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
■ Sector erase architecture  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
three 64 Kbyte sectors (byte mode)  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and Toggle Bit  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
three 32 Kword sectors (word mode)  
— Detects program or erase cycle completion  
■ Ready/Busy# output (RY/BY#)  
— Supports full chip erase  
— Hardware method for detection of program or  
erase cycle completion  
— Sector Protection features:  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Erase Suspend/Resume  
— Supports reading data from a sector not being  
erased  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ Hardware RESET# pin  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Resets internal state machine to the reading  
array data  
■ Tested to datasheet specifications at  
temperature  
■ Quality and reliability levels equivalent to  
standard packaged components  
Publication# 21257 Rev: B Amendment/0  
Issue Date: December 1997  
1/13/98  
12345678

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与AM29F200AB-120DWE1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F200AB-120DWF1 SPANSION

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 		Flash, 256KX8, 120ns
AM29F200AB-120DWI AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev
AM29F200AB-120DWI1 AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev
AM29F200AB-120DWI1 SPANSION

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 		Flash, 256KX8, 120ns
AM29F200AB-120EC AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120ECB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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AM29F200AB-120EI AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120EIB AMD

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