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AM29F200AB-120FC

更新时间： 2024-11-10 18:12:03

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	465K
描述
Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48

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AM29F200AB-120FC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	REVERSE, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

AM29F200AB-120FC 数据手册

PRELIMINARY

Am29F200A

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Top or bottom boot block configurations

available

— Minimizes system level power requirements

■ Embedded Algorithms

■ High performance

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

— Access times as fast as 55 ns

■ Low power consumption

— 20 mA typical active read current (byte mode)

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

— 28 mA typical active read current for

(word mode)

■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed

■ Package options

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current

— 44-pin SO

■ Sector erase architecture

— 48-pin TSOP

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

three 64 Kbyte sectors (byte mode)

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

three 32 Kword sectors (word mode)

— Superior inadvertent write protection

— Supports full chip erase

■ Data# Polling and Toggle Bit

— Sector Protection features:

— Detects program or erase cycle completion

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

A hardware method of locking a sector to

prevent any program or erase operations within

that sector

— Hardware method for detection of program or

erase cycle completion

Sectors can be locked via programming

equipment

■ Erase Suspend/Erase Resume

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

— Supports reading data from a sector not being

erased

■ Hardware RESET# pin

— Resets internal state machine to the reading

array data

Publication# 20637 Rev: B Amendment/+4

Issue Date: January 3, 2000

12 3 4 5 6 7...39

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