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AM29F200AB-120FF PDF预览

AM29F200AB-120FF

更新时间： 2024-11-10 18:12:03
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 465K
描述
Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48

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AM29F200AB-120FF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：REVERSE, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.24最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AM29F200AB-120FF 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F200A  
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— Minimizes system level power requirements  
■ Embedded Algorithms  
■ High performance  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Low power consumption  
— 20 mA typical active read current (byte mode)  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— 28 mA typical active read current for  
(word mode)  
■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed  
■ Package options  
— 30 mA typical program/erase current  
— 1 µA typical standby current  
— 44-pin SO  
■ Sector erase architecture  
— 48-pin TSOP  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
three 64 Kbyte sectors (byte mode)  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
three 32 Kword sectors (word mode)  
— Superior inadvertent write protection  
— Supports full chip erase  
■ Data# Polling and Toggle Bit  
— Sector Protection features:  
— Detects program or erase cycle completion  
■ Ready/Busy# output (RY/BY#)  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
— Hardware method for detection of program or  
erase cycle completion  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Supports reading data from a sector not being  
erased  
■ Hardware RESET# pin  
— Resets internal state machine to the reading  
array data  
Publication# 20637 Rev: B Amendment/+4  
Issue Date: January 3, 2000  
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F200AB-120FI AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120FIB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120FK SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-120SC AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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 		Flash, 128KX16, 120ns, PDSO44, SOP-44
AM29F200AB-120SCB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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