Datasheet > AM29F200AB-120EE

AM29F200AB-120EE

更新时间： 2024-11-09 22:56:35

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存
页数	文件大小	规格书
39页	448K
描述
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F200AB-120EE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.24	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

AM29F200AB-120EE 数据手册

PRELIMINARY

Am29F200A

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Top or bottom boot block configurations

available

— Minimizes system level power requirements

■ Embedded Algorithms

■ High performance

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

— Access times as fast as 55 ns

■ Low power consumption

— 20 mA typical active read current (byte mode)

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

— 28 mA typical active read current for

(word mode)

■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed

■ Package options

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current

— 44-pin SO

■ Sector erase architecture

— 48-pin TSOP

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

three 64 Kbyte sectors (byte mode)

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

three 32 Kword sectors (word mode)

— Superior inadvertent write protection

— Supports full chip erase

■ Data# Polling and Toggle Bit

— Sector Protection features:

— Detects program or erase cycle completion

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

A hardware method of locking a sector to

prevent any program or erase operations within

that sector

— Hardware method for detection of program or

erase cycle completion

Sectors can be locked via programming

equipment

■ Erase Suspend/Erase Resume

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

— Supports reading data from a sector not being

erased

■ Hardware RESET# pin

— Resets internal state machine to the reading

array data

Publication# 20637 Rev: B Amendment/+3

Issue Date: March 1998

12 3 4 5 6 7...39

中文翻译

下载PDF

与AM29F200AB-120EE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F200AB-120EEB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120EI	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120EIB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120EK	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, TSOP-48
AM29F200AB-120FC	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-120FC	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120FCB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-120FD	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-120FE	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-120FE	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

与AM29F200AB-120EE相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

24
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

24
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

50
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F200AB-120EE

AM29F200AB-120EE 技术参数

AM29F200AB-120EE 数据手册

与AM29F200AB-120EE相关器件

与AM29F200AB-120EE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F200AB-120EE

AM29F200AB-120EE 技术参数

AM29F200AB-120EE 数据手册

与AM29F200AB-120EE相关器件

与AM29F200AB-120EE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？