是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.51 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 42.037 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.715 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM28F010-250C3/BUA | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM28F010-250C3/BXA | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM28F010-70EC | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70ECB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70EE | AMD |
获取价格 |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70EEB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70EEB | ROCHESTER |
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Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32, TSOP-32 | |
AM28F010-70EI | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70EIB | AMD |
获取价格 |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70FC | AMD |
获取价格 |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |