是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.34 |
最长访问时间: | 70 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM28F010-70JEB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70JEB | ROCHESTER |
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Flash, 128KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM28F010-70JI | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70JIB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PC | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PCB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PE | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PEB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PI | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F010-70PIB | AMD |
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1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |