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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934055279112 | NXP |
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5MHz - 75MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN |
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| 934055281135 | NXP |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN |
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| 934055293135 | NXP |
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DIODE 1.9 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, LLDL, 2 PIN, Re |
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| 934055295135 | NXP |
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DIODE 1.6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, LLDL, 2 PIN, Re |
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| 934055297118 | NXP |
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600V, 4A, SNUBBERLESS TRIAC, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
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| 934055299127 | NXP |
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Snubberless TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN |
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| 934055301118 | NXP |
获取价格 |
Snubberless TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
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| 934055303127 | NXP |
获取价格 |
600V, 4A, SNUBBERLESS TRIAC, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN |
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| 934055305118 | NXP |
获取价格 |
600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
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| 934055306127 | NXP |
获取价格 |
600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
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