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85C82

更新时间： 2024-01-23 23:08:30
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
1K/2K/4K 5.0V CMOS Serial EEPROM

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85C82 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.86
Is Samacsys：N其他特性：10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDDR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：5.28 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.03 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.0045 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5.207 mm最长写入周期时间 (tWC)：1 ms
Base Number Matches：1

85C82 数据手册

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85C72/82/92  
TABLE 1-1:  
Name  
PIN FUNCTION TABLE  
Function  
1.0  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
1.1  
Maximum Ratings*  
VCC........................................................................ 7.0V  
All inputs and outputs w.r.t. VSS ....-0.6V to VCC +1.0V  
Storage temperature ...........................-65˚C to +150˚C  
Ambient temp. with power applied ......-65˚C to +125˚C  
Soldering temperature of leads (10 seconds) ...+300˚C  
ESD protection on all pins..................................... 4 kV  
A0, A1, A2  
VSS  
Chip Address Inputs  
Ground  
SDA  
Serial Address/Data Input/Output  
Serial Clock  
SCL  
NC  
No Connect  
VCC  
+5V Power Supply  
*Notice: Stresses above those listed under “Maximum ratings”  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rat-  
ing only and functional operation of the device at those or any  
other conditions above those indicated in the operational listings  
of this specification is not implied. Exposure to maximum rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
TABLE 1-2:  
DC CHARACTERISTICS  
VCC = +5V (10%)  
Commercial  
(C): Tamb = 0˚C to +70˚C  
Industrial  
(I):  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
Automotive  
(E): Tamb = -40˚C to 125˚C  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Units Conditions  
VCC detector threshold  
VTH  
2.8  
4.5  
V
SCL and SDA pins:  
High level input voltage  
VIH  
VIL  
VCC x 0.7 VCC + 1  
V
V
V
Low level input voltage  
Low level output voltage  
A0, A1 & A2 pins:  
-0.3  
VCC X 0.3  
0.4  
VOL  
IOL = 3.2 mA (SDA 0nly)  
HIgh level input voltage  
Low level input voltage  
Input leakage current  
Output leakage current  
VIH  
VIL  
ILI  
VCC - 0.5 VCC + 0.5  
V
V
-0.3  
—
0.5  
10  
µA  
µA  
pF  
VIN = 0V TO Vcc  
ILO  
—
10  
VOUT = 0V TO Vcc  
Pin capacitance  
(all inputs/outputs)  
CIN,  
COUT  
—
7.0  
VIN/VOUT = 0V (Note 1)  
Tamb = +25˚C, f = 1 MHz  
Operating current  
ICCO  
—
3.5  
mA  
mA  
FCLK = 100 kHz, program cycle time = 1 ms,  
VCC = 5V, Tamb = 0˚C to +70˚C  
FCLK = 100 kHz, program cycle time = 1 ms,  
VCC = 5V, Tamb = (I) and (E)  
4.25  
read cycle  
ICCR  
ICCS  
—
—
750  
100  
µA  
µA  
VCC = 5V, Tamb = (C), (I) and (E)  
Standby current  
SDA=SCL=VCC=5V (no PROGRAM active)  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
FIGURE 1-1: BUS TIMING START/STOP  
VHYS  
SCL  
THD:STA  
TSU:STO  
TSU:STA  
SDA  
START  
STOP  
DS11182C-page 2  
1995 Microchip Technology Inc.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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