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85C82-E/P

更新时间： 2024-09-19 18:44:15

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	305K
描述
256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

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85C82-E/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
其他特性：	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.46 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.32 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
85C82E/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82-E/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82I/J	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8
85C82-I/J	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
85C82I/P	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
85C82-I/P	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
85C82-I/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82-I/SN	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
85C82T/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82TE/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8