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85C82-I/J

更新时间： 2024-02-13 01:21:11

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页数	文件大小	规格书
8页	395K
描述
I2C Serial EEPROM

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85C82-I/J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	其他特性：	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	5.28 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.03 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.0045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	5.207 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
85C82I/P	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
85C82-I/P	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
85C82-I/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82-I/SN	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
85C82T/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82TE/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82T-E/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82TI/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C82T-I/SM	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
85C92	MICROCHIP	获取价格	1K/2K/4K 5.0V CMOS Serial EEPROM