是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.42 |
Is Samacsys: | N | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 200 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDMR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512X8 |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.00425 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
85C92-I/P | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
85C92I/SL | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 | |
85C92-I/SL | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 | |
85C92I/SM | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85C92-I/SM | ETC |
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I2C Serial EEPROM | |
85C92I/SN | ETC |
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I2C Serial EEPROM | |
85C92-I/SN | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
85C92-I/SO | MICROCHIP |
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IC,SERIAL EEPROM,512X8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC | |
85C92T/P | MICROCHIP |
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512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
85C92T/SL | MICROCHIP |
获取价格 |
512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 |