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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 82S191A/B3A | NXP |
获取价格 |
IC 2K X 8 OTPROM, 55 ns, CQCC28, CERAMIC, LLCC-28, Programmable ROM |
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| 82S191A/B3C | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| 82S191A/BJA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| 82S191A/BKA | NXP |
获取价格 |
IC 2K X 8 OTPROM, 55 ns, CDFP24, CERAMIC, FP-24, Programmable ROM |
|
| 82S191A/BLA | NXP |
获取价格 |
IC 2K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM |
|
| 82S1B-R16-A07/A07L | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Cermet, 2W, 250ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363, |
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| 82S1B-R50-A09 | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Cermet, 2W, 750ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363, |
|
| 82S1C-R19-A28/A28 | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Cermet, 2W, 150ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363, |
|
| 82S1E-R19-S13 | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 5000ohm, 10% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 6363, |
|
| 82S1K-R22-G15 | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 10000ohm, 20% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 6363, |
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