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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP22,.4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 端子数量： | 22 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256X9 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP22,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 82S212/BWA-40 | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22, |
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| 82S212/BWA-40 | YAGEO |
获取价格 |
Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22 |
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| 82S23 | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
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| 82S23/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23A/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23A/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23B/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23B/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S3C-R19-E16/E16/E16L | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Conductive Plastic, 1.5W, 20000ohm, 10% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, |
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