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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP22,.4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T22 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 82S23 | NXP |
获取价格 |
256-bit TTL bipolar PROM 32 x 8 |
|
| 82S23/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23A/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23A/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23B/BEA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
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| 82S23B/BFA | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |
|
| 82S3C-R19-E16/E16/E16L | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Conductive Plastic, 1.5W, 20000ohm, 10% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, |
|
| 82S3E-R50-S22/S22L | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Conductive Plastic, 0.75W, 250000ohm, 10% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, |
|
| 82S3F-R19-A25/A25L | BOURNS |
获取价格 |
Potentiometer, Cermet, 3W, 1000000ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, |
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