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82S191A/BLA

更新时间: 2024-01-28 05:43:09
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
IC 2K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM

82S191A/BLA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.07
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T24内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

82S191A/BLA 数据手册

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与82S191A/BLA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
82S1B-R16-A07/A07L BOURNS

获取价格

Potentiometer, Cermet, 2W, 250ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363,
82S1B-R50-A09 BOURNS

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Potentiometer, Cermet, 2W, 750ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363,
82S1C-R19-A28/A28 BOURNS

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Potentiometer, Cermet, 2W, 150ohm, 10% +/-Tol, -150,150ppm/Cel, 6363,
82S1E-R19-S13 BOURNS

获取价格

Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 5000ohm, 10% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 6363,
82S1K-R22-G15 BOURNS

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Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 10000ohm, 20% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 6363,
82S212 ETC

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2304 BIT BIPOLAR RAM
82S212/BWA PHILIPS

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Standard SRAM, 256X9, TTL, CDIP22,
82S212/BWA YAGEO

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Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22
82S212/BWA-40 PHILIPS

获取价格

Standard SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22,
82S212/BWA-40 YAGEO

获取价格

Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22