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74AUP1G3208GM,132

更新时间： 2024-11-09 14:47:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管逻辑集成电路
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74AUP1G3208 - Low-power 3-input OR-AND gate SON 6-Pin

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74AUP1G3208GM,132 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.5
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1.45 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	OR-AND GATE
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC6,.04,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	20.1 ns
传播延迟（tpd）：	20.1 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	0.5 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1 mm	Base Number Matches：	1

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74AUP1G3208

Low-power 3-input OR-AND gate

Rev. 02 — 3 July 2009

Product data sheet

1. General description

The 74AUP1G3208 provides the Boolean function: Y = (A + B) × C. The user can choose

the logic functions OR, AND and OR-AND. All inputs can be connected to V_CCor GND.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

2. Features

I Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

I High noise immunity

I Complies with JEDEC standards:

N JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

N JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

N JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

N JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

N JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E Class 3A exceeds 5000 V

N MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

N CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V

I Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

I Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

I Inputs accept voltages up to 3.6 V

I Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

I I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

I Multiple package options

I Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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